如何測(cè)量電源紋波？二、電源紋波的測(cè)量方法。工業(yè)通訊端口的供電：像RS-232、RS-485、CAN等總線型的電源，本身是數(shù)字信號(hào)，像RS-485、CAN還是差分形式傳輸，對(duì)電源的紋波噪聲不那么敏感，電源的紋波噪聲一般控制在75mV左右即可;高速、高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：對(duì)精度和速度都有較高要求，對(duì)電源的紋波噪聲及其敏感，除要求電源的紋波噪聲小外，還需選用一些高精度、共模抑制比大的運(yùn)放來(lái)配合，電源的紋波噪聲一般都需控制在10mV以內(nèi)。

如何測(cè)量電源紋波？二、電源紋波的測(cè)量方法。工業(yè)通訊端口的供電：像RS-232、RS-485、CAN等總線型的電源，本身是數(shù)字信號(hào)，像RS-485、CAN還是差分形式傳輸，對(duì)電源的紋波噪聲不那么敏感，電源的紋波噪聲一般控制在75mV左右即可;高速、高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：對(duì)精度和速度都有較高要求，對(duì)電源的紋波噪聲及其敏感，除要求電源的紋波噪聲小外，還需選用一些高精度、共模抑制比大的運(yùn)放來(lái)配合，電源的紋波噪聲一般都需控制在10mV以內(nèi)。

PCBA可靠性要求與工藝控制要點(diǎn)，用于工藝工程師培訓(xùn)。一、PCBA可靠性的定義與重要性。1.1 什么是PCBA可靠性？PCBA（Printed Circuit Board Assembly）可靠性是指印制電路板組件在規(guī)定的使用環(huán)境、時(shí)間周期和操作條件下，保持其功能完整性和性能穩(wěn)定性的能力。二、PCBA可靠性關(guān)鍵要素分析。三、工藝控制中的可靠性保障措施。加強(qiáng)清洗工藝，車間環(huán)境濕度控制。四、可靠性驗(yàn)證與測(cè)試方法。作為PCBA制造的核心崗位，工藝工程師需：

同相并聯(lián)三運(yùn)放差分放大電路。最后還有糾結(jié)的是方向問(wèn)題 運(yùn)算放大器總是有著將同相輸入端和反相輸入端的電壓相等的一個(gè)趨勢(shì) 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)運(yùn)算放大器： 如果同相輸入端V+的電壓高，那么輸出便會(huì)往正電壓方向偏，輸出正電 如果反相輸入端V-的電壓高，那么輸出便會(huì)往負(fù)電壓方向偏，輸出負(fù)電 具體電路還要具體分析，不同電路的接地端和負(fù)反饋端不一樣，不要死記公式，掌握分析方法才叫學(xué)習(xí)。

通俗易懂的三極管講解。圖1：NPN三極管如圖2為PNP型三極管，按下開(kāi)關(guān)S2，約1mA的Ib流過(guò)箭頭，箭尾比箭頭電壓高0.6V~0.7V（鉗位電壓），三極管工作在飽和狀態(tài)，e極到c極完全導(dǎo)通，c極電平接近5V；圖5：NPN三極管驅(qū)動(dòng)蜂鳴器如圖5，對(duì)于某些控制信號(hào)為低電平時(shí)，可能并不是真正的0V，一般在1V以內(nèi)，為保證三極管完全截止，不得不在三極管b極加一個(gè)反向穩(wěn)壓管或正向二極管，以提高三極管導(dǎo)通的閾值電壓（或鉗位電壓）；

用三極管搭恒流源的幾種形式實(shí)況實(shí)況實(shí)況 名稱已清空微信掃一掃贊賞作者喜歡作者其它金額文章暫無(wú)文章其它金額贊賞金額￥最低贊賞 ￥01234567890.

電動(dòng)機(jī)主要包括一個(gè)用以產(chǎn)生磁場(chǎng)的電磁鐵繞組或分布的定子繞組和一個(gè)旋轉(zhuǎn)電樞或轉(zhuǎn)子和其它附件組成。轉(zhuǎn)子繞組：切割定子旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)及電流，并形成電磁轉(zhuǎn)矩而使電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)；該磁場(chǎng)會(huì)帶動(dòng)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)一角度，使得轉(zhuǎn)子的一對(duì)磁場(chǎng)方向與定子的磁場(chǎng)方向一致。異步電動(dòng)機(jī)又稱感應(yīng)電動(dòng)機(jī)，是由氣隙旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)與轉(zhuǎn)子繞組感應(yīng)電流相互作用產(chǎn)生電磁轉(zhuǎn)矩，從而實(shí)現(xiàn)機(jī)電能量轉(zhuǎn)換為機(jī)械能量的一種交流電機(jī)。

從EMI角度，電容形成了高頻路徑，電路板內(nèi)部產(chǎn)生的高頻干擾會(huì)經(jīng)電容流入機(jī)殼進(jìn)入大地，避免了高頻干擾形成的天線輻射。另一種情況，假設(shè)機(jī)殼沒(méi)有可靠接大地（如沒(méi)有地線，接地棒環(huán)境干燥），則外殼電勢(shì)可能不穩(wěn)定或有靜電，如果電路板直接接外殼，就會(huì)打壞電路板芯片，加入電容，能把低頻高壓、靜電等隔離起來(lái)，保護(hù)電路板。2、從EMI角度，電容形成了高頻路徑，電路板內(nèi)部產(chǎn)生的高頻干擾會(huì)經(jīng)過(guò)電容流入機(jī)殼進(jìn)入大地；

電源加了個(gè)磁珠，磁珠額定電流選擇不當(dāng)導(dǎo)致電源啟動(dòng)異常摘要。在磁珠選型中，很多人以為磁珠的額定電流是就是電路的額定電流，其實(shí)應(yīng)該是電路的額定最大電流，同時(shí)還應(yīng)該考慮降額。用在電源端口的磁珠，建議做3個(gè)措施：第一，電源增加緩啟動(dòng)，減少上電瞬間沖擊電流，避免超規(guī)格和磁飽和;第二，電源端口的磁珠額定電流，可以按照產(chǎn)品最大工作電流的2~3倍選型。

外殼接地，為什么“然并卵”？外殼接地后：屏蔽的理想情況是外殼阻抗盡可能低且均勻，這有賴于外殼材料的導(dǎo)電性和接地的輔助作用。即使外殼接地，如果其屏蔽效能不足，接地作用也很有限。不完全的接地：殼體雖然接地，但接地點(diǎn)之間存在阻抗，形成多點(diǎn)接地效應(yīng)，使得外殼在某些頻率下反而放大共模噪聲。地環(huán)路效應(yīng)：如果設(shè)備外殼接地后與其他接地設(shè)備形成環(huán)路，高頻干擾信號(hào)可能通過(guò)接地線耦合到其他設(shè)備或反向進(jìn)入測(cè)試系統(tǒng)。

NMOS 、 PMOS管 原理、選型、應(yīng)用（非常實(shí)用值得參考）上圖NMOS管是壓控型器件，VGS電壓大于開(kāi)啟電壓時(shí)，內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通，Vgs電壓小于開(kāi)啟電壓時(shí)，內(nèi)部溝道截止;Vgs電壓越高，內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)越大，導(dǎo)通程度越高，導(dǎo)通電阻Ron越小,注意，Vgs電壓不能超過(guò)芯片允許的極限電壓;NMOS管一般作為低端驅(qū)動(dòng)器件，源級(jí)S接地。3、穩(wěn)壓二極管，防止Vgs電壓超過(guò)極限電壓，選型時(shí)參照NMOS器件數(shù)據(jù)手冊(cè)啟動(dòng)電壓選擇,5.1V,或12V的穩(wěn)壓管。

23、LM358 直流差分放大器一、LM358 雙運(yùn)算放大器。LM358 參數(shù)四、LM358 引腳說(shuō)明。LM358脈沖發(fā)生器二十一、LM358 交流耦合反相放大器。LM358交流耦合反相放大器二十二、LM358 交流耦合非反向放大器。LM358交流耦合非反向放大器二十三、LM358 可調(diào)增益儀表放大器。LM358可調(diào)增益儀表放大器二十四、LM358 直流放大器。LM358橋式電流放大器二十七、LM358 參考差分輸入信號(hào)。LM358參考差分輸入信號(hào)二十八、LM358 直流差分放大器。

TL431搭建過(guò)壓保護(hù)電路。TL431是一種電子工程師容易獲得的基準(zhǔn)穩(wěn)壓源，下圖是利用TL431搭建的過(guò)壓保護(hù)電路，具有精準(zhǔn)的保護(hù)點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)。在TL431的數(shù)據(jù)手冊(cè)中有關(guān)于TL431穩(wěn)定性的圖表，如下圖3.圖4. 仔細(xì)看這張圖，當(dāng)IKA為100mA時(shí)，A曲線的不穩(wěn)定區(qū)域?qū)?yīng)的負(fù)載電容在0.03uF~4uF之間，如果此時(shí)我們選擇的濾波電容正好在這個(gè)區(qū)間，TL431就很容易產(chǎn)生振蕩，考慮到元器件的離散性和余量，正常取值應(yīng)小于1nF,大于10uF,避開(kāi)這個(gè)區(qū)間。

一般來(lái)說(shuō)，爬電距離要求的數(shù)值比電氣間隙要求的數(shù)值要大，布線時(shí)須同時(shí)滿足這兩者的要求（即要考慮表面的距離，還要考慮空間的距離），開(kāi)槽（槽寬應(yīng)大于1mm）只能增加表面距離即爬電距離而不能增加電氣間隙。確定電氣間隙跨接的絕緣類型（功能絕緣、基本絕緣、附加絕緣、加強(qiáng)絕緣）?；窘^緣和附加絕緣即使不滿足爬電距離和電氣間隙的要求，只要短路該絕緣，設(shè)備仍滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，則是可以接受的（ 8898 中4.3.1 條）。

一個(gè)PMOS防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)。將PMOS的G極接電阻到地（GND ），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過(guò)PMOS的體二極體到負(fù)載端。我們來(lái)看這個(gè)電路， MOS的兩端電壓，也就是體二極體壓降電壓，它大于mos管的VGS電壓，mos管導(dǎo)通，這時(shí)體二極體被短路，體二極體的壓降電壓不存在了。當(dāng)電源反接時(shí)， PMOS的GS兩端電壓為正值，MOS管無(wú)法導(dǎo)通。我們都知道PMOS的成本較高，因此PMOS作防反保護(hù)一般適合用于電流超過(guò)3A以上的大電流的場(chǎng)景。

拆個(gè)小米高速吹風(fēng)機(jī)，這個(gè)電路圖很難嗎？（2）整流電路,整流電路的工作原理可以點(diǎn)擊這個(gè)：（5）半橋驅(qū)動(dòng)電路，可以直接參考芯片手冊(cè)的應(yīng)用電路圖。至于其他的電路就不理出來(lái)了，比如RGB燈，過(guò)零采集電路等。總的來(lái)說(shuō)，小米這款吹風(fēng)機(jī)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)難度并不大，用到的電路知識(shí)點(diǎn)都是常用的，關(guān)鍵在于器件的品控，還有整機(jī)的結(jié)構(gòu)質(zhì)感處理！

1、阻抗匹配，吸收反射信號(hào)當(dāng)信號(hào)頻率比較高，上升沿比較陡時(shí)我們就需要考慮信號(hào)的阻抗連續(xù)問(wèn)題了。比如這是之前測(cè)試的一個(gè)25MHZ的一個(gè)信號(hào)，當(dāng)加的串接電阻是0歐姆時(shí)，可以看到信號(hào)的過(guò)沖非常明顯，當(dāng)我串接的電阻為33歐時(shí)，信號(hào)的過(guò)沖有了很好的改善。需要注意的是，串接電阻用作阻抗匹配是一般是接到信號(hào)的發(fā)射端，不能接到信號(hào)的接收端，阻值的話一般100歐以內(nèi)，阻值大了信號(hào)會(huì)畸變，可能有時(shí)序問(wèn)題。

問(wèn)：EMC測(cè)試setup中經(jīng)常存在一個(gè)實(shí)際的問(wèn)題：線束屏蔽層怎么接地，單端接地好還是雙端接地好？答：雙端接地好，雙端接地可屏蔽電場(chǎng)和磁場(chǎng)，單端接地只能屏蔽電場(chǎng)且可能產(chǎn)生單極天線效應(yīng)。線束----接地：屏蔽單端與雙端接地原理說(shuō)明。上面我們說(shuō)到“雙端接地好，雙端接地可屏蔽電場(chǎng)和磁場(chǎng)，單端接地只能屏蔽電場(chǎng) “。屏蔽雙端接地：一方面能起到屏蔽電場(chǎng)的作用，另外更重要的一方面是通過(guò)形成抵消電流回路起到磁場(chǎng)屏蔽的作用。

IVD儀器的基本結(jié)構(gòu)以及功能模塊概述。光學(xué)模塊的功能以及組成：對(duì)樣品和試劑反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行檢測(cè)從而計(jì)算得到樣品成分含量。常用的光學(xué)系統(tǒng)主要包括生化分析儀前分光和后分光光學(xué)系統(tǒng)，熒光免疫分析儀光學(xué)系統(tǒng)，化學(xué)發(fā)光免疫分析儀光學(xué)系統(tǒng)，五分類血細(xì)胞分析儀光學(xué)系統(tǒng)以及流式細(xì)胞儀光學(xué)系統(tǒng)。體外診斷的運(yùn)動(dòng)模塊包括取樣運(yùn)動(dòng)模塊、樣品傳動(dòng)模塊以及攪拌搖勻模塊。該構(gòu)型是目前絕大多數(shù)體外診斷設(shè)備取樣運(yùn)動(dòng)模塊中較為主流的構(gòu)型。