在這里，你將有機(jī)會(huì)結(jié)識(shí)志同道合的伙伴，共同探討硬件測(cè)試領(lǐng)域的最新技術(shù)、挑戰(zhàn)和解決方案。2. 實(shí)用的技術(shù)分享：群內(nèi)會(huì)定期分享關(guān)于硬件設(shè)計(jì)及測(cè)試的資料、工具和技巧（如果有技術(shù)大佬可以做線上的技術(shù)分享就太好啦）。1.對(duì)硬件測(cè)試感興趣：我們歡迎所有對(duì)硬件測(cè)試感興趣的人加入我們的群體，無(wú)論你是初學(xué)者還是經(jīng)驗(yàn)豐富的專家。歡迎加入我們的硬件測(cè)試技術(shù)交流群，一起探索硬件測(cè)試的無(wú)限可能性！

電流模式控制是對(duì)電壓模式控制的改良，是以檢測(cè)電路電感電流的方式取代電壓模式控制使用的三角波，或檢測(cè)晶體管的電流取代電感電流、通過(guò)電流檢測(cè)電阻進(jìn)行檢測(cè)。峰值電流控制模式(PCMC)中，電流采樣點(diǎn)位于高測(cè)晶體管或電感器的電流波形的上升斜坡部分用于在現(xiàn)有電壓控制環(huán)路外提供快速響應(yīng)控制環(huán)路，將電流波形用作PWM生成比較器的斜坡波形。將電流信號(hào)與電壓誤差放大器的輸出進(jìn)行比較，以便生成電源的PWM控制信號(hào)。

DCDC電源的工作模式 vs 控制模式。但在同步拓?fù)渲校O管被MOSFET替代，下管MOSFET導(dǎo)通時(shí)，電流可以瞬間從負(fù)載移除（或者此時(shí)輸出電容在反向放電），即允許負(fù)電流存在，當(dāng)輸出電流減小時(shí)，變換器就不會(huì)切換到DCM模式，而是轉(zhuǎn)換到強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式（FCCM）電流方程把電壓和電流斜率（而不是電流幅值）聯(lián)系起來(lái)，那么給定了Von和Voff，可能會(huì)有若干電流波形與之對(duì)應(yīng)，這些波形的工作模式包含CCM、DCM、BCM等。

綜上，我們來(lái)看一下各部分節(jié)點(diǎn)的電流情況，第一個(gè)輸入電流即為流過(guò)Q1的電流波形，第二個(gè)是流過(guò)續(xù)流二極管D1的電流波形，它和流過(guò)MOS管的電流波形疊加即為電感L的電流波形，第四個(gè)就是開關(guān)電壓波形，也是三個(gè)器件匯集點(diǎn)的地方，稱之為開關(guān)節(jié)點(diǎn)。雖然有多種命名，不過(guò)在這里將不喜歡噪聲的線路（如反饋路徑）相關(guān)的 GND 稱為“模擬小信號(hào) GND（AGND）”，將開關(guān)節(jié)點(diǎn)等切換較大電流的線路相關(guān)的 GND 稱為“功率GND（PGND）”。

DDR測(cè)試步驟 , 足夠詳細(xì)！DDR測(cè)試，沒你想的那么難?、蹖?BNC 電纜從示波器上的 Probe Compensation（探頭補(bǔ)償）輸出連接器連接到 TriMode 直流校準(zhǔn)板上的 BNC 連接器。當(dāng)示波器模擬通道的數(shù)量不夠時(shí)，需要使用數(shù)字通道接入測(cè)試源，共同來(lái)完成測(cè)試。DDR測(cè)試部分的設(shè)置就這么多，文字的描述可能沒有那么生動(dòng)，所以特意找了一個(gè)DDR實(shí)測(cè)的視頻（源自測(cè)量測(cè)量加油站）貼在最后，供大家視頻與文字相結(jié)合，更好的去了解DDR測(cè)試詳細(xì)過(guò)程。

由于DDR的信號(hào)速率很高,而且信號(hào)上同時(shí)存在讀、寫、高阻態(tài)以及由于分叉引起的信號(hào)反射,為了進(jìn)行可靠的探測(cè),對(duì)于示波器和探頭的要求很高。對(duì)于DDR2信號(hào)的測(cè)試,通常推薦的示波器和探頭的帶寬在4GHz，對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試通常推薦的示波器和探頭的帶寬在12.5GHz,DDR4 的示波器帶寬是16GHz或者更高。除了帶寬滿足要求以外,由于DDR2/3 信號(hào)信號(hào)電平擺幅一般不超過(guò)1V,LPDDR2/3和DDR4的信號(hào)擺幅更低,信號(hào) bit寬度很多都在ns甚至0.5ns以下。

現(xiàn)在的數(shù)字示波器的最高采樣率一般都可以保證采樣率超過(guò)示波器帶寬的2倍以上(考慮到示波器的頻響方式的不同,實(shí)際示波器的最高采樣率可能會(huì)是其帶寬的 2.5 倍或4倍以上)但是在實(shí)際使用中,由于內(nèi)存深度的限制,在時(shí)基刻度打得比較長(zhǎng)時(shí)示波器有可能會(huì)自動(dòng)降低采樣率,這時(shí)就需要特別注意混疊或者假波的產(chǎn)生。此時(shí)示波器不能分辨小于 19.531mV 的電壓信號(hào)，如果輸入信號(hào)疊加了小于 19.531mV 的噪聲信號(hào)，示波器無(wú)法準(zhǔn)確顯示出來(lái)。

硬件測(cè)試入門-聊一聊示波器的帶寬。假設(shè)對(duì)于一臺(tái)標(biāo)稱帶寬為1GHz的示波器，輸入一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的50MHz，1V 峰峰值的正弦波信號(hào),在示波器上測(cè)量到的信號(hào)幅度為A;然后將輸入信號(hào)的幅度保持不變,頻率逐漸增加到1GHz.這時(shí)在示波器上測(cè)量到的信號(hào)幅度為B。另外示波器也不是絕對(duì)不可以對(duì)超過(guò)帶寬的信號(hào)進(jìn)行測(cè)量,如果被測(cè)信號(hào)的頻率只是稍微超過(guò)了示波器的帶寬,雖然信號(hào)的衰減會(huì)比較大,但大概的頻率周期等時(shí)間信息還是比較準(zhǔn)確的(對(duì)正弦波信號(hào))。

在后面接觸到了更高級(jí)的示波器，如泰克的MSO5系示波器、是德科技的InfiniiumEXR系列示波器，它們相對(duì)與之前的示波器，帶來(lái)了更多的通道數(shù)量，更高的分辨率、更好的人機(jī)交互方式，以及更多豐富的功能，而帶寬、采樣率、存儲(chǔ)深度這些硬性指標(biāo)無(wú)疑是大幅增加。國(guó)內(nèi)的示波器廠商也蓬勃發(fā)展，如普源、鼎陽(yáng)、優(yōu)利德、致遠(yuǎn)電子等等，但是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的示波器普遍在中低端，高端示波器幾乎是沒有，在高速示波器，多通道示波器方面為零。

是德科技前身為惠普，成立至今已有84年歷史。隨著互聯(lián)網(wǎng)信息和應(yīng)用的日益普及，惠普于1999 年分拆其“醫(yī)療產(chǎn)品和儀器部門”為安捷倫科技。2013年，安捷倫分拆為兩家完全獨(dú)立的測(cè)量公司：安捷倫專注于生命科學(xué)、診斷和應(yīng)用化學(xué)領(lǐng)域；是德科技負(fù)責(zé)為通訊和電子產(chǎn)業(yè)提供電子測(cè)量解決方案。目前，是德科技已在設(shè)計(jì)、測(cè)量和網(wǎng)絡(luò)安全情報(bào)研究等領(lǐng)域享譽(yù)全球。

此時(shí)的D極電壓比G極電壓高，電容Cgd是上正下負(fù)。在t2-t3這段時(shí)間內(nèi)，雖然柵極電荷繼續(xù)增加，但是柵極電荷也有了另外一條通路（下圖紫色標(biāo)注通路），柵極電荷這個(gè)時(shí)間大部分用來(lái)給電容Cgd進(jìn)行充電，導(dǎo)致VGS電壓不在增加。t0-t1時(shí)刻，驅(qū)動(dòng)電平置高，打算開通MOSFET,但是由于柵極等效電容的存在，柵極電壓VGS緩慢上升，由于VGS尚未達(dá)到VGS（th）,所以MOSFET尚未開通，這段時(shí)間代表從開始“開通”到“開通開始生效”的延遲。

在測(cè)量 MOSFET安全工作區(qū)（SOA）時(shí)，需要電流探頭與電壓探頭同時(shí)進(jìn)行測(cè)試以繪制電流和電壓交叉點(diǎn)，但是要注意，電流探頭測(cè)量時(shí)需要破壞開關(guān)管原來(lái)的走線，同時(shí)在串入一根更長(zhǎng)的線，由于寄生電感的影響，這根線會(huì)使Vds 瞬態(tài)電壓明顯變高，影響測(cè)試結(jié)果。當(dāng) MOSFET關(guān)閉，電感瞬間放電，導(dǎo)致MOSFET 上的 Lx(di/dt)的電壓擺幅超過(guò) MOSFET 的 BVDS，導(dǎo)致 MOSFET 進(jìn)入雪崩效應(yīng)，這個(gè)電感瞬間放電的電流，即為雪崩電流IAS。

環(huán)境搭建完成后，啟動(dòng)負(fù)載拉載，從0開始逐步增加電壓源電壓，當(dāng)Load到達(dá)額定電流（電流值根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)來(lái)確定）后，記錄此時(shí)的萬(wàn)用表電壓即為VGS（th）。柵極漏電流一般通過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓和測(cè)量相應(yīng)電流來(lái)確定，由于氧化物的質(zhì)量或材料的物料特性，漏電流有很大的區(qū)別。SMU是一個(gè)具有測(cè)量功能的四象限源電流/吸電流操作設(shè)備，它采用FVMI（電壓驅(qū)動(dòng)、電流測(cè)量）和FIMV（電流驅(qū)動(dòng)、電壓測(cè)量）模式。它可以提供指定的電壓并測(cè)量電流。

《硬件測(cè)試技術(shù)》可以相當(dāng)于硬件測(cè)試工程師的“紅寶書”，每一個(gè)硬件測(cè)試的入門資料，關(guān)于硬件測(cè)試技術(shù)講的還是比較基礎(chǔ)且全面的，主要從以下幾個(gè)部分介紹了硬件測(cè)試技術(shù)：《硬件測(cè)試工作思路》從上而下的梳理了硬件測(cè)試的相關(guān)工作，更加貼合實(shí)際工作，可以作為對(duì)《硬件測(cè)試技術(shù)》的進(jìn)一步補(bǔ)充，在和其他的硬件測(cè)試工程師的溝通中，大家往往認(rèn)為硬件測(cè)試的工作比較簡(jiǎn)單，硬件測(cè)試就是一個(gè)打雜的，亦或只是標(biāo)準(zhǔn)化流程的執(zhí)行者。

電源測(cè)試-教你學(xué)會(huì)效率測(cè)試。效率是任何開關(guān)電源的重要指標(biāo)，實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率，提高電源效率、降低電源溫升，是電源設(shè)計(jì)的重要工作之一，因此要準(zhǔn)確測(cè)試設(shè)計(jì)電源的效率，來(lái)評(píng)估電源設(shè)計(jì)的好壞。①兩個(gè)萬(wàn)用表在測(cè)試電壓時(shí)，盡可能的接近板端（最好就是輸入輸出的電容上），不能接在供電電源和電子負(fù)載端去讀取電壓，因?yàn)檩斎胼敵鼍€路上存在電流會(huì)產(chǎn)生壓降，這么測(cè)會(huì)導(dǎo)致Vin電壓偏大，Vout電壓偏小，最終效率偏低。

負(fù)載選型要點(diǎn)在電子負(fù)載進(jìn)行選擇時(shí)，通常需要重點(diǎn)關(guān)注以下幾點(diǎn)：1、確定被測(cè)物的輸出類型上文提到過(guò)電子負(fù)載分為直流電子負(fù)載、交流電子負(fù)載和交直流電子負(fù)載。交流電子負(fù)載一般都能提供直流帶載模式，因此很少有單獨(dú)的交流電子負(fù)載，一般都是交/直流電子負(fù)載。圖：chroma的交/直流電子負(fù)載帶載模式 但是一定要謹(jǐn)記，交流電子負(fù)載和直流電子負(fù)載一定是不能混用，不可以用直流電子負(fù)載拉載交流，或反之。

硬件測(cè)試工程師！從整個(gè)產(chǎn)品的生命周期，把硬件測(cè)試工程師分成了兩個(gè)部分，一是研發(fā)部門的，研發(fā)部門的硬件測(cè)試工程師負(fù)責(zé)主要負(fù)責(zé)產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段、產(chǎn)品測(cè)試階段、產(chǎn)品驗(yàn)證階段的相關(guān)工作。執(zhí)行測(cè)試計(jì)劃，如基本電氣測(cè)試、功能邏輯測(cè)試、信號(hào)測(cè)試、散熱測(cè)試等等；量產(chǎn)后的產(chǎn)品不會(huì)再像產(chǎn)品測(cè)試階段的測(cè)試，生產(chǎn)部門的硬件測(cè)試工程師主要就是負(fù)責(zé)產(chǎn)品出廠前的一些測(cè)試項(xiàng)目，如產(chǎn)品的電性能測(cè)試、ATE測(cè)試、老化測(cè)試等。

源端串聯(lián)端接，電阻位置越靠近發(fā)送端效果越好，如果端接電阻靠近接受端，相當(dāng)于造成阻抗更加不匹配，信號(hào)過(guò)沖或振鈴現(xiàn)象會(huì)更加嚴(yán)重。通常戴維南端接用于驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)能力不足，而又必須使用末端并聯(lián)端接的場(chǎng)合，上拉電阻能夠提供一部分驅(qū)動(dòng)電流給負(fù)載以幫助驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)高電平，下拉電阻能夠吸收一部分電流幫助驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)低電平，同樣因?yàn)橄吕娮韪唠娖奖焕?，上拉電阻使信?hào)低電平被拉高，所以戴維南端接會(huì)使信號(hào)的擺幅減小。

文章的標(biāo)題是高速信號(hào)之反射與端接，當(dāng)然只有在高速信號(hào)中才需要考慮信號(hào)的阻抗匹配，那么怎么來(lái)界定高/低速信號(hào)呢？信號(hào)也是如此，在阻抗不連續(xù)的地方產(chǎn)生了反射，反射信號(hào)疊加在了原信號(hào)上，造成信號(hào)失真。如果互連的阻抗是可控的，瞬時(shí)阻抗就等于線的特性阻抗，無(wú)論什么原因使瞬時(shí)阻抗發(fā)生了變化，部分信號(hào)將沿著與傳播方向相反的方向反射，而另一部分將繼續(xù)傳播，但幅度有所改變，瞬時(shí)阻抗發(fā)生變化的地方稱為阻抗突變。

開關(guān)電源（4）-BUCK之電感的選型。今天是BUCK電路外圍器件選型的第三篇文章，著重介紹一下電感的選型方法。③電感電流的選擇。原則3：飽和電流和溫升電流兩者中的最小者的80%大于DC-DC電源所需要的電流Io；重要原則：電感的自諧振頻率要是DC-DC電源芯片開關(guān)頻率fsw的10倍以上。而在開關(guān)電源應(yīng)用中，一旦開關(guān)頻率fsw貼近或者超過(guò)電感自諧振頻率f0，電感感值會(huì)增大或者變得非常小，甚至?xí)嗜菪?，電路設(shè)計(jì)偏離原有設(shè)計(jì)邏輯。