干貨分享丨三維電子封裝及系統(tǒng)級(jí)封裝System-in-Package (SiP) （2023精華版）成熟的POP（Package on Package，疊層封裝技術(shù)/堆疊封裝技術(shù)）基于硅通孔(TSV)的3D-SIP技術(shù)。通過(guò)硅通孔實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連和三維集成封裝。目前制作硅通孔的主要手段有濕法刻蝕，激光加工和干法刻蝕 (深反應(yīng)離子刻蝕， DRIE )三種。旋轉(zhuǎn)噴射刻蝕后孔底部距硅片表面只有3~5微米,經(jīng)過(guò)反 應(yīng)離子刻蝕(RIE)之后露出表面;TSV封裝技術(shù)將帶來(lái)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化。

芯片電學(xué)（零級(jí)封裝）互連：晶圓級(jí)封裝（WLP）WLP的優(yōu)勢(shì)：晶圓級(jí)封裝（WLP）就是在封裝過(guò)程中大部分工藝過(guò)程都是對(duì)晶圓（大圓片）進(jìn)行操作，對(duì)晶圓級(jí)封裝（WLP）的需求不僅受到更小封裝尺寸和高度的要求，還必須滿足簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈和降低總體成本，并提高整體性能的要求。裸芯片封裝/晶圓級(jí)封裝裸芯片封裝和晶圓級(jí)封裝技術(shù)：覆晶（倒裝）技術(shù)FC覆晶技術(shù)是一種裸芯片組裝技術(shù)，TFT-LCD驅(qū)動(dòng)芯片常用的COF封裝可以認(rèn)為是典型的覆晶案例。

關(guān)于WLCSP晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)介紹。WLCSP的特性優(yōu)點(diǎn)－原芯片尺寸最小封裝方式：WLCSP晶圓級(jí)芯片封裝方式的[敏感詞]特點(diǎn)便是有效地縮減封裝體積，故可搭配于行動(dòng)裝置上而符合可攜式產(chǎn)品輕薄短小的特性需求。在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個(gè)芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級(jí)封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對(duì)芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個(gè)芯片。

芯片封裝技術(shù)講解：多芯片封裝。

This paper presents the design, fabrication and testing of a novel structurally integrated Ka-band active antenna for airborne 5G wireless communications. The proposed antenna is mainly composed of three parts: a package layer, a control and signal process layer and a RF layer.Based on the single antenna element above, a 52-element antenna array is constructed, as shown in Fig. 4.

專(zhuān)訪vivo首席天線專(zhuān)家黃奐衢博士 暢談5G天線與微波技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。目前服務(wù)于vivo，擔(dān)任首席天線專(zhuān)家，負(fù)責(zé)前沿天線技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)。而此毫米波段的波束掃描或波束賦形的天線陣列，在設(shè)計(jì)概念與方向上相較以往或現(xiàn)今的手機(jī)天線設(shè)計(jì)，則是為“質(zhì)的跳躍”，也就是從個(gè)別的天線設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)變?yōu)樘炀€陣列的設(shè)計(jì)，并且是具有波束掃描或波束賦形能力的天線陣列，故個(gè)人在上述演講的材料附圖中(請(qǐng)見(jiàn)下方圖2)也進(jìn)行了相關(guān)的圖示說(shuō)明。

毋庸置疑，在目前微波多層板的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，選用較多的是介電常數(shù)為2.94的聚四氟乙烯覆銅箔板材料。這種微波多層印制電路板有別于傳統(tǒng)意義上的多層印制板，由于其層壓制造之特殊性，除了微波多層板粘結(jié)材料的選擇、微波多層板的層壓制造、以及微波多層板的孔金屬化前活化處理，必須認(rèn)真研究對(duì)待以外，對(duì)層間重合精度、圖形制作精度、層間介質(zhì)層厚度一致性、鍍層均勻性及涂覆類(lèi)型，也提出了更為苛刻的要求。

1． Fowler-Nordheim 隧道效應(yīng)FN隧道效應(yīng)是NVM最主要的電荷注入方式之一，在對(duì)器件編程時(shí)，在控制門(mén)極加上很大的電壓（Vcg），能帶結(jié)構(gòu)會(huì)如圖四變化：在圖四中，ec 和 ev 分別是導(dǎo)帶和禁帶，Eg 為能帶寬度 (硅材料是1.1 eV ), fb 為Si-SiO2 能量勢(shì)壘 (fb is 3.2 eV for electrons and 4.7 eV for holes). 外加電壓 Vcg 造成電勢(shì)提供給substrate中的電子通過(guò)薄氧化層中的隧道到達(dá)浮柵區(qū)的可能。

一般我們把數(shù)字信號(hào)超過(guò)閾值的狀態(tài)判決為“1”，把低于閾值的狀態(tài)判決為“0”，由于信號(hào)的上升沿不是無(wú)限陡的，所以垂直的幅度噪聲就會(huì)造成信號(hào)過(guò)閾值點(diǎn)時(shí)刻的左右變化，這就是由于噪聲造成信號(hào)抖動(dòng)的原因。要進(jìn)行時(shí)鐘信號(hào)的相位噪聲精確測(cè)量使用的儀器是信號(hào)源分析儀，信號(hào)源分析內(nèi)部有特殊的電路，通過(guò)兩個(gè)獨(dú)立本振的多次相關(guān)處理可以把自身本振的相位噪聲壓得非常低，從而可以進(jìn)行精確的相位噪聲測(cè)量。

增值稅專(zhuān)用發(fā)票只是抵扣進(jìn)項(xiàng)稅額的“憑證”之一，也是進(jìn)項(xiàng)稅額抵扣的形式條件之一，但是即使取得增值稅專(zhuān)用發(fā)票，如果屬于不得從銷(xiāo)項(xiàng)稅額中抵扣的情形也不能進(jìn)項(xiàng)稅額抵扣，如企業(yè)租用一輛大客車(chē)專(zhuān)用于職工上下班班車(chē)，租車(chē)費(fèi)用即使取得增值稅專(zhuān)用發(fā)票，因?qū)儆谟糜诩w福利購(gòu)進(jìn)應(yīng)稅服務(wù)，不能抵扣進(jìn)項(xiàng)稅額；企業(yè)如果同時(shí)有增值稅免稅項(xiàng)目和應(yīng)稅項(xiàng)目，需分別核算進(jìn)項(xiàng)稅額，用于免稅項(xiàng)目的進(jìn)項(xiàng)稅額需轉(zhuǎn)出。

射頻PCB無(wú)源互調(diào)PIM測(cè)試問(wèn)答微波射頻網(wǎng)-羅杰斯“微帶傳輸線無(wú)源互調(diào)（PIM）測(cè)試可重復(fù)性”技術(shù)講座精選問(wèn)答精選。羅杰斯專(zhuān)家解答：主要看電流分布，低電流分布PIM容易小。羅杰斯專(zhuān)家解答：觀察表明，如果僅僅是鍍金是可以改善PIM的，但通常的工業(yè)應(yīng)用中鍍鎳金也就是在鍍金前先鍍上一層鎳，這會(huì)使PIM惡化。羅杰斯專(zhuān)家解答：還沒(méi)有，因影響PIM的原因比較復(fù)雜，但遵守一般規(guī)律，通常PIM良好的比如微帶傳輸線在多個(gè)頻段表現(xiàn)都好。

話說(shuō)射頻微波電路板和金屬基板點(diǎn)擊標(biāo)題下「射頻百花潭」可快速關(guān)注！國(guó)內(nèi)華為、貝爾、武漢郵科院等大通信企業(yè)需求高頻微波印制板在逐年增多，國(guó)外從事高頻微波產(chǎn)品的企業(yè)亦搬遷來(lái)中國(guó)，就近采購(gòu)高頻微波用印制板。5.高頻微波板的基本要求。6.高頻微波板的加工難點(diǎn)。8.國(guó)內(nèi)外高頻微波板材概況國(guó)內(nèi)，除了上述談到的704 廠LGC-046 改性聚苯醚板材外，泰州高頻覆銅箔板材廠TF-2、F4B、F4BK 高頻微波、聚四氟乙烯板材亦賣(mài)得很紅火。

對(duì)振蕩電路的一些理解。在這些電流分量通過(guò)LC或者RC回路時(shí)，由電路分析理論中的諧振性質(zhì)可以得知，只有頻率等于諧振頻率的成分才可以產(chǎn)生較大的輸出電壓，而其他頻率成分不會(huì)或者只是產(chǎn)生很小的壓降，因此只有該諧振頻率產(chǎn)生較大壓降，并通過(guò)反饋網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生出較大的正反饋電壓，反饋電壓又加到放大器的輸入端，進(jìn)行放大、反饋，不斷地循環(huán)下去，就出現(xiàn)了示波器顯示屏上的那個(gè)漂亮的余弦波！

信號(hào)鏈基礎(chǔ)知識(shí)之常用的輸出結(jié)構(gòu)。最原始的推拉式輸出結(jié)構(gòu)拓?fù)淙缦聢D所示：采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)需要注意的一個(gè)情況就是：當(dāng)輸入電壓位于某一值時(shí)，TR1和TR2有可能都部分“導(dǎo)通”，此時(shí)，電流從直流電源Vcc經(jīng)晶體管直接流到GND。另外，當(dāng)輸出為低電平時(shí)，由于晶體管處于深度飽和狀態(tài)，其輸出電阻即為晶體管的飽和電阻（其值一般很?。?，因此，此時(shí)具有很好的帶負(fù)載能力——晶體管的集電極電流可以全部用來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。

三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(chǎng)（即內(nèi)建電場(chǎng)），當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內(nèi)建電場(chǎng)時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v）。

漫談《信號(hào)與系統(tǒng)》對(duì)于第一個(gè)問(wèn)題，我們考慮，語(yǔ)音信號(hào)是個(gè)時(shí)間頻率信號(hào)(所以對(duì)應(yīng)的F變換就表示時(shí)間頻率)把語(yǔ)音信號(hào)分解為若干個(gè)不同頻率的單音混合體(周期函數(shù)的復(fù)利葉級(jí)數(shù)展開(kāi)，非周期的區(qū)間函數(shù)，可以看成補(bǔ)齊以后的周期信號(hào)展開(kāi)，效果一樣)，對(duì)于最高頻率的信號(hào)分量，如果抽樣方式能否保證恢復(fù)這個(gè)分量，那么其他的低頻率分量也就能通過(guò)抽樣的方式使得信息得以保存。頻域是窗函數(shù)的基本函數(shù)，時(shí)域就是鐘形函數(shù)。

如何了解數(shù)字信號(hào)頻譜和帶寬？雖然現(xiàn)代的數(shù)字示波器都已經(jīng)具備了數(shù)字FFT的功能可以幫助用戶觀察信號(hào)頻譜，但是由于ADC位數(shù)和動(dòng)態(tài)范圍的限制，頻譜儀仍然是對(duì)信號(hào)能量的頻率分布進(jìn)行分析的最準(zhǔn)確的工具，所以數(shù)字工程師可以借助于頻譜分析儀對(duì)被測(cè)數(shù)字信號(hào)的頻譜分布進(jìn)行分析。當(dāng)沒(méi)有頻譜儀可用時(shí)，我們通常根據(jù)數(shù)字信號(hào)的上升時(shí)間去估算被測(cè)信號(hào)的頻譜能量。