作者/朱公子

第三代半導(dǎo)體

我估摸著只要是炒股或者是關(guān)注二級市場的朋友們，這幾天一定都沒少聽這詞兒，如果不是大盤這幾天實在是太慘了，估計炒作行情會比現(xiàn)在強勢的多得多。

那到底這所謂的第三代半導(dǎo)體，到底是個什么玩意？值不值得炒？未來的邏輯在哪兒？

接下來，只要您能耐著性子好好看，我保證給它寫的人人都能整明白，這可比你天天盯著大盤有意思的多了！

一、為什么稱之為第三代半導(dǎo)體？

1、重點詞

客官們就記住一個關(guān)鍵詞——材料，這就是前后三代半導(dǎo)體之間最大的區(qū)別。

2、每一代材料的簡述

第一代半導(dǎo)體材料：主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。

（300MM硅晶原片，用于制作集成電路）

興起時間：二十世紀五十年代。

代表材料：硅（Si）、鍺（Ge）元素半導(dǎo)體材料。

應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)。

歷史意義：第一代半導(dǎo)體材料引發(fā)了以集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。

對于第一代半導(dǎo)體材料，簡單理解就是：最早用的是鍺，后來又從鍺變成了硅，并且?guī)缀跬耆〈?/p>

原因在于：硅的產(chǎn)量相對較多，具備成本優(yōu)勢。技術(shù)開發(fā)更加完善。

但是，到了40納米以下，鍺的應(yīng)用又出現(xiàn)了，因為鍺硅通道可以讓電子流速更快?，F(xiàn)在用的鍺硅在特殊的通道材料里會用到，將來會涉及到碳的應(yīng)用，下文會詳細講解。

第二代半導(dǎo)體材料：以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）為代表，是4G時代的大部分通信設(shè)備的材料。

興起時間：20世紀九十年代以來,隨著移動通信的飛速發(fā)展、以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起,以砷化鎵、銻化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭角。

代表材料：如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導(dǎo)體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體），如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體；有機半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

應(yīng)用領(lǐng)域：主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。

因信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，還被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。

性能升級：以砷化鎵為例，相比于第一代半導(dǎo)體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性。

總結(jié)：第二代是使用復(fù)合物的。也就是復(fù)合半導(dǎo)體材料，我們生活中常用的是砷化鎵、磷化銦這一類材料，可以用在功放領(lǐng)域，早期它們的速度比較快。

但是因為砷含劇毒！所以現(xiàn)在很多地方都禁止使用，砷化鎵的應(yīng)用還只是局限在高速的功放功率領(lǐng)域。而磷化銦則可以用來做發(fā)光器件，比如說LED里面都可以用到。

第三代半導(dǎo)體材料：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。

起源時間：M國早在1993年就已經(jīng)研制出第一支氮化鎵的材料和器件。而我國最早的研究隊伍——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，在1995年也起步了該方面的研究。

重點：市場上從半年前炒氮化鎵的充電器時，市場的反應(yīng)一直不夠強烈，那是因為當時第三代半導(dǎo)體還沒有被列入國家“十四五”這個層級的戰(zhàn)略部署上，所以單憑氮化鎵這一個概念，是不足以支撐整個市場邏輯的！

發(fā)展現(xiàn)狀：在5G通信、新能源汽車、光伏逆變器等應(yīng)用需求的明確牽引下，目前，應(yīng)用領(lǐng)域的頭部企業(yè)已開始使用第三代半導(dǎo)體技術(shù)，也進一步提振了行業(yè)信心和堅定對第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線的投資。

性能升級：專業(yè)名詞咱們就不贅述了，通俗的說，到了第三代半導(dǎo)體材料這兒，更好的化合物出現(xiàn)了，性能優(yōu)勢就在于耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能更強、工作速度更快、工作損耗更低。

有一點我覺得需要單獨提一下：碳化硅與氮化鎵相比較，碳化硅的發(fā)展更早一些，技術(shù)成熟度也更高一些；兩者有一個很大的區(qū)別是熱導(dǎo)率：在高功率應(yīng)用中，碳化硅占據(jù)統(tǒng)治地位；氮化鎵具有更高的電子遷移率，因而能夠比碳化硅具有更高的開關(guān)速度，所以在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵具備優(yōu)勢。

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用

咱們重點說一說碳化硅。碳化硅在民用領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛：其中電動汽車、消費電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域的直流、交流輸變電、溫度檢測控制等。

咱先舉兩個典型的例子：

1.2015年，豐田汽車運用碳化硅MOSFET的凱美瑞試驗車，逆變器開關(guān)損耗降低30%。

2.2016年，三菱電機在逆變器上用到了碳化硅，開發(fā)出了全世界最小馬達。

而其他軍用領(lǐng)域上，碳化硅更是廣泛用于噴氣發(fā)動機、坦克發(fā)動機、艦艇發(fā)動機、風洞、航天器外殼的溫度、壓力測試等。

為什么我說要重點說說碳化硅呢？因為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石正是芯片，而碳化硅，正因為它優(yōu)越的物理性能，一定是將來最被廣泛使用在制作半導(dǎo)體芯片上的基礎(chǔ)材料！

優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對應(yīng)高擊穿電場和高功率密度）、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率。而且，碳化硅MOSFET將與硅基IGBT長期共存，他們更適合應(yīng)用在高功率和高頻高速領(lǐng)域。

這里穿插了一個陌生詞匯：“禁帶寬度”，這到底是神馬東西？

這玩意如果解釋起來，又得引申出如“能帶”、“導(dǎo)帶”等一系列的概念，如果不是真的喜歡，我覺得大家也沒必要非去研究這些，單說在第三代半導(dǎo)體行業(yè)板塊中，能知道這一個詞，您已經(jīng)跑贏90%以上的小散了。

客觀們就主要記住一個知識點吧：對于第三代半導(dǎo)體材料，越高的禁帶寬度越有優(yōu)勢。

主要形式：“襯底”。半導(dǎo)體芯片又分為：集成電路和分立器件。但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底 -外延-器件”結(jié)構(gòu)，而碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。

（碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈）

生產(chǎn)工藝流程：

原料合成——晶體生長——晶錠加工——晶體切割——晶片研磨——晶片拋光——晶片檢測——晶片清洗

總結(jié)：晶片尺寸越大，對應(yīng)晶體的生長與加工技術(shù)難度越大，而下游器件的制造效率越高、單位成本越低。目前國際碳化硅晶片廠商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片，CREE、II-VI等國際龍頭企業(yè)已開始投資建設(shè)8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線。

應(yīng)用方向：科普完知識、講完生產(chǎn)制造，最終還是要看這玩意兒怎么用，倆個關(guān)鍵詞：功率器件、射頻器件。

功率器件：最重要的下游應(yīng)用就是——新能源汽車！

現(xiàn)有技術(shù)方案：每輛新能源汽車使用的功率器件價值約700美元到1000美元。隨著新能源汽車的發(fā)展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導(dǎo)體器件新的增長點。

新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中，涉及到功率器件包括——電機驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC）和非車載充電樁。碳化硅功率器件應(yīng)用于電機驅(qū)動系統(tǒng)中的主逆變器。

另外還應(yīng)用領(lǐng)域也包括——光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、風力發(fā)電、工業(yè)電源及航空航天等領(lǐng)域。

射頻器件：最重要的下游應(yīng)用就是——5G基站！

微波射頻器件，主要包括——射頻開關(guān)、LNA、功率放大器、濾波器。5G基站則是射頻器件的主要應(yīng)用方向。

未來規(guī)模：5G時代的到來，將為射頻器件帶來新的增長動力！2025年全球射頻器件市場將超過250億美元。目前我國在5G建設(shè)全球領(lǐng)先，這也是對岸金毛現(xiàn)在狗急跳墻的原因。

我國未來計劃建設(shè)360萬臺-492萬臺5G宏基站，而這個規(guī)模是4G宏基站的1.1-1.5倍。當前我國已經(jīng)建設(shè)的5G宏基站約為40萬臺，未來仍有非常大的成長空間。

半導(dǎo)體行業(yè)的核心

我相信很多客官一定有這樣的疑問：芯片、半導(dǎo)體、集成電路，有什么區(qū)別？

1.半導(dǎo)體：

從材料方面說，教科書上是這么描述的：Semiconductor，是常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一類材料；

按功能結(jié)構(gòu)區(qū)分，半導(dǎo)體行業(yè)可分為：集成電路（核心）、分立器件、光電器件及傳感器四大類。

2.集成電路（IC， integrated circuit）：

最經(jīng)典的定義就是：將晶體管、二極管等等有源元件、電阻器、電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，從而完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。

3.芯片：

半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是指內(nèi)含集成電路的硅片，是集成電路的載體，由晶圓分割而成。硅片是一塊很小的硅，內(nèi)含集成電路，它是計算機或者其他電子設(shè)備的一部分。

為什么說集成電路，是半導(dǎo)體行業(yè)的核心？那是因為集成電路的銷售比重，基本保持在半導(dǎo)體銷售額的80%。

比如，2018年全球4700億美元的半導(dǎo)體銷售額中，集成電路共計3900億美元，占比達84%。

第三代半導(dǎo)體的未來方向

中國半導(dǎo)體業(yè)進入IDM模式是大勢所趨，其長久可持續(xù)性我非常認可。但是講到IDM，又有一堆非常容易混淆的概念，篇幅實在是太長了，咱們就不再拆分來講了，你只要知道IDM最牛逼就完事了！

IDM：直譯：Integrated Design and Manufacture，垂直整合制造。

1.IDM企業(yè)：IDM商業(yè)模式，就是國際整合元件制造商模式。其廠商的經(jīng)營范圍涵蓋了IC設(shè)計、IC制造、封裝測試等各個環(huán)節(jié)，甚至也會延伸到下游電子終端。典型廠商：Intel、三星、TI（德州儀器）、東芝、ST（意法半導(dǎo)體）等。

2.IDM模式優(yōu)勢：

（1）IDM模式的企業(yè)，內(nèi)部有資源整合優(yōu)勢，從IC設(shè)計到IC制造所需的時間較短。

（2）IDM企業(yè)利潤比較高。根據(jù)“微笑曲線”原理，最前端的產(chǎn)品設(shè)計、開發(fā)與最末端的品牌、營銷具有最高的利潤率，中間的制造、封裝測試環(huán)節(jié)利潤率較低。

（3）IDM企業(yè)具有技術(shù)優(yōu)勢。大多數(shù)的IDM企業(yè)都有自己的IP（知識產(chǎn)權(quán)），技術(shù)開發(fā)能力比較強，具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

3.IDM重要性

IDM的重要性是不需要用邏輯去判斷的，全球集成電路市場的60%由IDM企業(yè)所掌握。比如三星電子、恩智浦、英飛凌、NXP等。

4.中國為什么要發(fā)展IDM模式？

IDM模式的優(yōu)勢：產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)部直接整合、具備規(guī)模效應(yīng)、有效縮短新產(chǎn)品上市時間、并將利潤點留在企業(yè)內(nèi)部。

市場的自然選擇：此外，中國已成為全球最大的集成電路消費市場，并具有豐富的勞動力資源，對于發(fā)展自有品牌的IDM具有市場優(yōu)勢和成本優(yōu)勢。

現(xiàn)在，無論是被M國的封鎖倒逼出來，還是我們自主的選擇，我們都必須開拓出一條中國IDM發(fā)展之路！

現(xiàn)狀：目前國內(nèi)現(xiàn)有的所謂IDM，其制造工藝水平和設(shè)計能力相當?shù)?，比較集中在功率半導(dǎo)體，產(chǎn)品應(yīng)用面較窄，規(guī)模做不大。我知道，這些事實說出來挺讓人沮喪的，但這就是事實。

但正因為我們目前處在相對落后的階段，才更加需要埋頭苦干、咬牙追趕，然后一舉拿下！

本來寫這篇文章的時候不想說股的，但還是提幾只吧，也算是給咱們國家的半導(dǎo)體事業(yè)做一點點微小的貢獻。

射頻類相關(guān)優(yōu)質(zhì)標的：卓勝微、中天科技、和而泰、麥捷科技；

IDM相關(guān)優(yōu)質(zhì)標的：中環(huán)股份、上海貝嶺、長電科技。

關(guān)注、點贊+在看，求求你們了！

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