IGBT和MOSFET工作特性不一樣，在考慮具體技術(shù)細(xì)節(jié)的情況下，可以用IGBT替代MOSFET。

需要考慮到的問題點：

1)電路的工作頻率：IGBT工作頻率低，一般25Khz是上限。如果電路工作頻率超過IGBT頻率上限(以具體管子數(shù)據(jù)手冊為準(zhǔn))，不能替換。

2)驅(qū)動電路的關(guān)斷方式：MOSFET可以用零壓關(guān)斷，也可以用負(fù)壓關(guān)斷。IGBT只能用負(fù)壓關(guān)斷。如果電路驅(qū)動電路，只是零壓關(guān)斷，一般不能替代。

3)功率管并聯(lián)：MOSFET是正溫度特性，可以直接并聯(lián)擴(kuò)流，而IGBT是負(fù)溫度特性，不能直接并聯(lián)。如果電路是多個MOSFET并聯(lián)使用，不能用IGBT簡單替換。

4)電路是否需要開關(guān)器件續(xù)流二極管：MOSFET自帶寄生二極管，IGBT則是另外加進(jìn)去的。保險起見，只選擇帶續(xù)流二極管的IGBT。

5)IGBT輸入電容，要和原電路MOSFET的輸入電容接近。這只是考慮驅(qū)動電路的驅(qū)動能力，與MOSFET和IGBT特性無關(guān)。

6)對過流保護(hù)電路，IGBT要求更高。如果沒有電路圖的話，可以通過短路試驗來確定能否替換。

對于常見的簡單電路，考慮上述幾個因素，就可以用符合功率耐壓要求IGBT替代MOSFET。其他未考慮到的因素，請大神們補(bǔ)充指正。