（觀察者網(wǎng)訊）

在臺(tái)積電宣布7納米強(qiáng)效版及5納米導(dǎo)入EUV（極紫外光）微影技術(shù)且量產(chǎn)后，近日三星決定向荷蘭ASML訂購15臺(tái)EUV設(shè)備，此外英特爾、美光、海力士也規(guī)劃采用EUV技術(shù)，導(dǎo)致僧多粥少，全球半導(dǎo)體行業(yè)掀起爭(zhēng)搶EUV設(shè)備大戰(zhàn)。

據(jù)《韓國先驅(qū)報(bào)》15日?qǐng)?bào)道，為達(dá)成2030年成為全球第一半導(dǎo)體大廠的目標(biāo)，并超越晶圓代工廠商臺(tái)積電，搶占未來2到3年的5G商用化所帶來的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求，三星已向全球微影曝光設(shè)備大廠ASML訂購15臺(tái)先進(jìn)EUV設(shè)備，價(jià)值3萬億韓元，約合181億人民幣，交付分三年進(jìn)行。

報(bào)道截圖

三星電子自2005年進(jìn)入晶圓代工領(lǐng)域，目前已經(jīng)7nm EUV技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星計(jì)劃，6nm制程在2019年下半年開始量產(chǎn)，5nm制程在2020年上半年量產(chǎn)，3nm制程預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入量產(chǎn)。

而三星和臺(tái)積電在先進(jìn)制程的角逐一直進(jìn)行，臺(tái)積電日前已宣布，7納米強(qiáng)效版制程領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，并已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)，且2020年上半年量產(chǎn)的5納米也將導(dǎo)入EUV制程。

另外，英特爾EUV計(jì)劃的負(fù)責(zé)人Britt Turkot年中表示，EUV技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好，并且投入大量的技術(shù)開發(fā)。內(nèi)存大廠美光、海力士也計(jì)劃導(dǎo)入EUV技術(shù)。

尷尬的是，目前全球提供EUV設(shè)備的企業(yè)僅ASML一家，業(yè)界預(yù)估ASML一年僅能生產(chǎn)約30臺(tái)EUV設(shè)備，在各大廠相繼投入之下，形成設(shè)備機(jī)臺(tái)一機(jī)難求，排隊(duì)等設(shè)備現(xiàn)象。

ASML最新發(fā)布的第三季度財(cái)報(bào)中顯示，該季度他們僅交付了7臺(tái)EUV光刻機(jī)，但當(dāng)季接到的訂單已達(dá)23臺(tái)，創(chuàng)造了歷史記錄，而三星此次訂購則將消耗ASML近半年EUV設(shè)備產(chǎn)能。

據(jù)了解，由于EUV極短波長(zhǎng) 13.5納米具有強(qiáng)力光線的技術(shù)，能夠更完美地解析先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)，減少芯片生產(chǎn)步驟及光罩層數(shù)，高速高頻，對(duì)芯片微縮、低功耗要求高，成為延續(xù)摩爾定律重要技術(shù)。

不過，要駕馭如此復(fù)雜且昂貴的系統(tǒng)來制造大批芯片卻是一件難事，三星雖最早宣布7納米制程導(dǎo)入EUV，但先前即傳出生產(chǎn)芯片良率及產(chǎn)量不足。

臺(tái)積電表示，7納米一開始未導(dǎo)入EUV，就是因?yàn)樾录夹g(shù)導(dǎo)入制程需要經(jīng)歷一段學(xué)習(xí)曲線。臺(tái)積電稱，在7納米強(qiáng)效版成功學(xué)習(xí)經(jīng)驗(yàn)，未來可順利導(dǎo)入5納米制程。

數(shù)據(jù)顯示，2019年Q3全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)臺(tái)積電以50.5%穩(wěn)坐第一，而近年努力發(fā)展先進(jìn)制程的三星電子以18.5%的市占率位居第二，但三星很顯然不愿一直位居次席，一直在擴(kuò)大半導(dǎo)體投資。

三星今年4月發(fā)布一項(xiàng)高達(dá)133萬億韓元的系統(tǒng)IC投資，其中60萬億韓元將用于晶圓代工設(shè)備投資。去年8月，三星曾發(fā)表3年180萬億韓元投資，其中90萬億到100萬億韓元將用于半導(dǎo)體設(shè)備。

業(yè)內(nèi)人士透露，為了超越臺(tái)積電，三星不僅會(huì)增加設(shè)備投資，還會(huì)通過提供技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力來吸引客戶。