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漢磊科技(Episil):功率碳化硅(SiC)代工業(yè)的先鋒

 懶人葛優(yōu)癱 2019-01-30

微訪談:漢磊科技總經(jīng)理莊淵棋


漢磊科技(Episil):功率碳化硅(SiC)代工業(yè)的先鋒


據(jù)麥姆斯咨詢報道,隨著技術(shù)進(jìn)步和市場普及,碳化硅(SiC)功率器件前景被廣泛看好。根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅(SiC)材料、器件和應(yīng)用-2018版》報告預(yù)測,到2023年SiC功率市場總值將超過14億美元,2017年至2023年的復(fù)合年增長率(CAGR)將達(dá)到29%。SiC市場非常活躍,吸引了業(yè)界很多公司的關(guān)注。SiC相關(guān)的專利申請顯著增加也有力的證明了當(dāng)前這一趨勢,具體可以參見由Yole旗下全資子公司Knowmade最新發(fā)布的專利態(tài)勢報告:《功率碳化硅(SiC)MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》。

當(dāng)前的問題更集中在未來五年的市場增長以及相關(guān)的供應(yīng)鏈上。SiC供應(yīng)鏈?zhǔn)欠褚褳橹С质袌黾铀侔l(fā)展做好了準(zhǔn)備?為了支持市場的需求,領(lǐng)先的集成器件制造商(IDM)正在提升他們的產(chǎn)能,晶圓代工模式也在迅速發(fā)展中。

漢磊科技股份有限公司(Episil Technologies)總部位于臺灣,是最早提供SiC功率器件代工服務(wù)的晶圓廠之一。Yole專注于化合物半導(dǎo)體和新興材料方面的高級技術(shù)和市場分析師Hong Lin博士,有幸采訪到漢磊科技總經(jīng)理莊淵棋(Andy Chuang),兩位專家一同討論了這個市場的技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新。以下為精彩的訪談內(nèi)容。

Hong Lin(以下簡稱HL):請您先簡單介紹一下漢磊科技,以及公司的服務(wù)、歷史和當(dāng)前的業(yè)務(wù)?

莊淵棋:漢磊科技是漢磊先進(jìn)投資控股股份有限公司(Episil Holdings)下屬全資子公司,是一家在1985年成立的臺灣晶圓代工廠。在20世紀(jì)90年代,公司開始為硅基功率器件提供代工服務(wù)。隨后,公司不斷擴(kuò)大產(chǎn)能,到現(xiàn)在已擁有三座晶圓廠,可同時提供硅和寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體代工服務(wù),包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。

HL:漢磊科技是什么時候開始介入WBG市場?是什么原因讓漢磊科技決定進(jìn)軍WBG業(yè)務(wù)?

莊淵棋:大約十年前,硅市場的競爭越來越激烈。集團(tuán)決定采用“藍(lán)?!睉?zhàn)略,挖掘當(dāng)時競爭比較小的市場作為未來發(fā)展的業(yè)務(wù)。公司具有遠(yuǎn)見卓識,看到了WBG業(yè)務(wù)的市場潛力。從那時起,漢磊科技得到了股東和漢磊集團(tuán)的全力支持。

HL:漢磊科技的SiC產(chǎn)品組合有哪些?公司未來五年相關(guān)的規(guī)劃路線圖是什么?

莊淵棋:漢磊科技自2015年開始WBG的生產(chǎn)。我們現(xiàn)在為600V-1200V肖特基勢壘二極管(SBD)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)提供4英寸SiC代工服務(wù),并正在建立一條6英寸SiC生產(chǎn)線,可在2019年下半年為客戶試生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。


漢磊科技(Episil):功率碳化硅(SiC)代工業(yè)的先鋒

2017~2023年SiC功率器件市場規(guī)模 來源:《功率碳化硅(SiC)材料、器件和應(yīng)用-2018版



HL:您能介紹一下漢磊科技在GaN方面的業(yè)務(wù)發(fā)展么?也請您詳細(xì)介紹一下未來五年GaN相關(guān)的規(guī)劃路線圖?

莊淵棋:漢磊科技開發(fā)的GaN工藝,在美國市場已處于領(lǐng)先地位,我們也為其他公司提供GaN代工服務(wù)。目前漢磊科技主要專注于功率產(chǎn)品。

HL:漢磊科技在SiC代工方面的服務(wù)特色主要是什么?

莊淵棋:漢磊科技在客戶數(shù)量和產(chǎn)品數(shù)量方面都有口皆碑。我們的SBD/平面結(jié)勢壘肖特基(JBS)平臺可以為客戶提供高品質(zhì)的制造,良率超過95%。另外,漢磊科技承諾為客戶提供SiC SBD和SiC MOSFET的制造周期分別為一個月和兩個月,在交付時間上非常具有競爭力。此外,漢磊科技為所有客戶提供一站式服務(wù),包括:SiC外延、器件制造、背面減薄、背面金屬化(激光退火)以及芯片探針測試。漢磊科技同時提供4英寸和6英寸SiC代工服務(wù),客戶可以根據(jù)自身需求選擇最適合的產(chǎn)品。

HL:您認(rèn)為漢磊科技開發(fā)的SiC和GaN技術(shù)的附加值是什么?

莊淵棋:在漢磊科技,我們的合作伙伴可以獲得一站式服務(wù)。我們提供從前端外延到后端測試全產(chǎn)業(yè)鏈的服務(wù),這點一直受到我們合作伙伴的高度贊賞。此外,我們的服務(wù)質(zhì)量很高,例如我們的背面減薄技術(shù),可以將SiC晶圓減薄到只有4 mil(100 μm)。

HL:Knowmade最新發(fā)布了一份關(guān)于SiC器件的專利態(tài)勢分析報告(《功率碳化硅(SiC)MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》)。但在這份新報告中,Knowmade分析師沒有發(fā)現(xiàn)漢磊科技相關(guān)的專利申請。您對此結(jié)果有何評論?您能否向大家介紹一下漢磊科技在知識產(chǎn)權(quán)方面的戰(zhàn)略?漢磊科技是否會受到專利許可的影響?

莊淵棋:作為代工服務(wù)的提供商,我們專注于工藝的開發(fā)。我們?yōu)槲覀兊暮献骰锇樘峁V泛通用的工藝,這不會存在專利問題。當(dāng)所設(shè)計的器件結(jié)構(gòu)獲得專利時,我們的合作伙伴會帶來他們的專利,讓我們?yōu)樗麄冮_發(fā)工藝。


漢磊科技(Episil):功率碳化硅(SiC)代工業(yè)的先鋒

SiC MOSFET、SBD和功率模塊專利主要申請人 來源:《功率碳化硅(SiC)MOSFET、SB


HL:您如何看待WBG市場未來的發(fā)展趨勢,特別是SiC和GaN市場?

莊淵棋:從2017至2018年間,我們看到了市場明顯的變化。我們現(xiàn)在擁有一長串的SiC業(yè)務(wù)相關(guān)的客戶名單,其中超過45家客戶參與,涉及300多款產(chǎn)品。毫不懷疑這個市場正在起飛。

HL:漢磊科技通過了車規(guī)認(rèn)證。所有三個晶圓廠都獲得了TS16949汽車業(yè)品質(zhì)管理系統(tǒng)認(rèn)證。汽車是驅(qū)動功率電子市場最重要的因素之一。WBG技術(shù)在這個市場中扮演什么樣的角色?商業(yè)化成熟的上市時間點會在什么時候,特別是SiC和GaN解決方案?

莊淵棋:我們看到SiC在電動汽車(EV)中發(fā)揮著重要作用。特別是,中國的汽車廠商非?;钴S,而且他們都將在電動車中使用SiC。

HL:您們接下來在WBG方面的業(yè)務(wù)發(fā)展計劃有哪些?

莊淵棋:我們正在開發(fā)1700V的SiC SBD,并且還在開發(fā)SiC溝槽MOSFET工藝。我們現(xiàn)在正在建設(shè)6英寸SiC生產(chǎn)線,它將在2019年下半年為客戶試生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。在GaN方面,我們繼續(xù)為GaN產(chǎn)品升級新一代工藝。除了GaN分立器件,我們還與客戶共同開發(fā)了GaN集成電路(IC)平臺,并正在向下一代更具競爭力的技術(shù)遷移。

延伸閱讀:

《功率碳化硅(SiC)MOSFET、SBD及模塊專利全景分析-2019版》

《功率碳化硅(SiC)材料、器件和應(yīng)用-2018版》

《英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組:DF11MR12W1M1_B11》

《羅姆1700V碳化硅MOSFET分立器件:SCT2H12NZGC11》

《Wolfspeed碳化硅功率MOSFET:C2M0025120D》

《Littelfuse增強(qiáng)模式碳化硅MOSFET:LSIC1MO120E0080》

《UnitedSiC的1200V碳化硅JFET:UJN1205K》

原文鏈接:http://www./mems/micro-interview_201901/7653.html

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