1、 主電路設(shè)計(jì) 本裝置的電容器按照8:4:2:1原則分成四組,可實(shí)現(xiàn)15級(jí)組合,這種不等容分組方式的優(yōu)點(diǎn)是利用較少的分組可以得到較小的補(bǔ)償級(jí)差??刂齐娙萜魍肚械臒o(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)由兩只單向晶閘管反向并聯(lián)構(gòu)成。當(dāng)晶閘管施加正向電壓,且門(mén)極有脈沖觸發(fā)信號(hào)時(shí),晶閘管導(dǎo)通,電容器投入電網(wǎng)。當(dāng)觸發(fā)脈沖信號(hào)去掉后,電流過(guò)零或反壓時(shí),晶閘管截止,電容器從電網(wǎng)上切除。這種兩只晶閘管反向并聯(lián)結(jié)構(gòu)與一只晶閘管和一只二極管反并聯(lián)結(jié)構(gòu)相比,具有投切速度快,晶閘管承受電壓低的優(yōu)點(diǎn)。另外晶閘管上并聯(lián)有RC吸收電路,用于吸收浪涌電流和抑制過(guò)電壓。每一電容支路串聯(lián)一定容量的電抗器,配置電抗率<0.5%(有時(shí)到0.01%~0.02%)的電抗器,主要目的是限制電容器的合閘涌流;配置電抗率為4.5%或6%的串聯(lián)電抗器,可抑制5次以上的諧波電流;配置電抗率為12%~13%的串聯(lián)電抗器,可抑制3次以上的諧波電流。>0.5%(有時(shí)到0.01%~0.02%)的電抗器,主要目的是限制電容器的合閘涌流;配置電抗率為4.5%或6%的串聯(lián)電抗器,可抑制5次以上的諧波電流;配置電抗率為12%~13%的串聯(lián)電抗器,可抑制3次以上的諧波電流。> 電容器采用△形接線(xiàn)方式,反向并聯(lián)晶閘管采用接在△內(nèi)部的接法。這種接法的最大優(yōu)點(diǎn)是流過(guò)晶閘管的電流是其它接線(xiàn)方式的,這樣可以有效的降低晶閘管的發(fā)熱量。同時(shí)這種接法對(duì)3次諧波也有抑制作用,對(duì)電網(wǎng)不會(huì)造成污染[2]。晶閘管的耐壓值一般按計(jì)算,其中K1為電壓欲度,一般取1.1~1.2,K2為電網(wǎng)電壓波動(dòng)系數(shù),一般取1.15,U為電網(wǎng)線(xiàn)電壓。晶閘管的電流一般按,其中C為電容容量,單位為μF。 現(xiàn)代低壓電網(wǎng)中,感性負(fù)荷和沖擊性負(fù)荷占相當(dāng)大的比重,造成電網(wǎng)功率因數(shù)降低,電能質(zhì)量嚴(yán)重惡化。究其根本原因是用電負(fù)荷工作中無(wú)功功率需求量的急劇變化。因此,急需開(kāi)發(fā)一種能快速響應(yīng)電網(wǎng)無(wú)功需求,進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤補(bǔ)償?shù)臒o(wú)功補(bǔ)償裝置。目前無(wú)功補(bǔ)償裝置中,采用機(jī)械開(kāi)關(guān)(接觸器或斷路器)或復(fù)合開(kāi)關(guān)投切電容器的裝置,其響應(yīng)速度慢,不能實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)功功率的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償;而采用晶閘管投切電容器的裝置,其控制器多為單CPU結(jié)構(gòu),控制精度和速度難以同時(shí)保證。
本文介紹的快速型低壓動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置針對(duì)電網(wǎng)負(fù)荷的快速變化,以DSP芯片作為核心控制器,配合FPGA驅(qū)動(dòng)大功率晶閘管投切電容器。由于采用了無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)過(guò)零投切技術(shù),電容器的投切均可實(shí)現(xiàn)無(wú)過(guò)渡過(guò)程的平穩(wěn)投入和退出。因此,本裝置控制精度高(無(wú)功功率2級(jí),功率因數(shù)0.5級(jí)),響應(yīng)速度快,響應(yīng)時(shí)間不大于13ms,而且可以頻繁地投切動(dòng)作,能有效地跟蹤補(bǔ)償快速變化的負(fù)載,改善電能質(zhì)量。 樹(shù)上鳥(niǎo)教育語(yǔ)錄:學(xué)習(xí)要加,驕傲要減,機(jī)會(huì)要乘,懶惰要除。 |
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