結(jié)合理論和實(shí)際應(yīng)用，對RAM、ROM、Flash的做以區(qū)別，若用不當(dāng)之處請?zhí)岢?/span>

RAM(Random Access Memory)
       全名為隨機(jī)存取記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)，用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的。它在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(內(nèi)存)。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。

RAM有SRAM、DRAM兩大類
SRAM（Static RAM/SRAM），
        靜態(tài)RAM，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要

        求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖， 二級緩沖。

DRAM（Dynamic RAM/DRAM），
        DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上

        來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。DRAM分為很多種，常見的主要有

        FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里

        介紹其中的一種DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型

        的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)

        傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實(shí)上擊敗了Intel的

        另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶

        寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM(Read Only Memory)
        全名為唯讀記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤，用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時(shí)候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無法更改，因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔(dān)任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途?，F(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM就不會(huì)。隨著ROM存儲(chǔ)介質(zhì)發(fā)展，應(yīng)用中

經(jīng)常提到的有ROM、PROM、EPROM、2PROM
ROM:Read Only Memory，
        只讀存儲(chǔ)器。在ROM中的內(nèi)容只能讀不能改，是在工廠里用特殊的方法被燒錄進(jìn)去的。
PROM:Programmable ROM，
        可編程ROM。用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入，但是這種機(jī)會(huì)只有一次，一旦寫入后

        也無法修改。
EPROM：Erasable Programmable ROM，
        可擦除可編程ROM。芯片寫入要用專用的編程器，可重復(fù)擦除和寫入。
EEPROM：Electrically Erasable Programmable ROM，
        電可擦除可編程ROM。價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長，寫入很慢。但它的寫入、擦除不需要借助于其它設(shè)備，是以電子信號(hào)來修改其內(nèi)容的。用廠商提供的專用刷新程 序并利用一定的編程電壓就可以輕而易舉地改寫內(nèi)容。舉個(gè)例子，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號(hào)碼，暫時(shí)是存在SRAM中 的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

FLASH存儲(chǔ)器(閃存)

它結(jié)合了ROM 和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），U盤和MP3里用的就 是這種存儲(chǔ)器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌 入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。目前Flash

主要有兩種
NOR Flash和NADN Flash
NOR Flash
        特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必

        再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但

        是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND Flash
        該結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。NAND

        Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀

        取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此

        好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行

        啟動(dòng)代碼。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。

性能比較

Flash閃存 是非易失存儲(chǔ)器，可以對稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫 入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND 器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。 由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB 的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí) 塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了 NOR 和 NADN 之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì) 師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。

● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。
 
接口差別
NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。
NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送
控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
NAND 讀和寫操作采用 512 字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于 NAND 的存儲(chǔ)
器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。

容量和成本
NAND flash 的單元尺寸幾乎是 NOR 器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND 結(jié)構(gòu)可以在給定的模
具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這
也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND 在CompactFlash、Secure Digital、
PC Cards和MMC 存儲(chǔ)卡市場上所占份額最大。
 
可靠性和耐用性
采用flahs 介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說，F(xiàn)lash 是非常合適的
存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性。
 
壽命(耐用性)
在NAND 閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10
比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪
除次數(shù)要少一些。